轻松转移：聚合物基底单层石墨烯（1英寸×1英寸）

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轻松转移：聚合物基底单层石墨烯（1英寸×1英寸）

我们提供“轻松转移法”：一种将单层石墨烯转移到您所期望基底上的最容易的方法。结合我们长期生长和转移高品质石墨烯薄膜方面的经验，让您通过使用“轻松转移法”转移单层石墨烯，在其它新颖基底上开展您的实验。

石墨烯薄膜

·生长方法：CVD
·外观（颜色）：透明
·透明度：> 97％
·外观（形式）：薄膜
·覆盖范围：> 95％
·石墨烯层数：1
·厚度（理论上）：0.345纳米
.氧化铝上的FET电子迁移率：2000 cm2/Vs
·二氧化硅/硅上的FET电子迁移率：4000 cm2/Vs
·二氧化硅/硅基底薄膜电阻：450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
·晶粒尺寸：最大10微米

为什么使用“轻松转移”

·避免金属蚀刻
·避免危险的化学品处理
·对薄膜进行操作
·去除底层

应用

石墨烯研究，柔性电池，电子，航空航天工业，MEMS和NEMS，微致动器，导电涂料

发表文章

“Ultrathin rechargeable all-solid-state batteries based on monolayer graphene”, J.Mater。 Chem. A，2013年，1期，3177-3181页 DOI注册号：10.1039 / C3TA01183F

“Fabrication and Electrochemical Characterization of Single and Multi-Layer Graphene Anodes for Lithium-Ion Batteries”, J. electrochem. Soc. 2012年， 159卷，6期，A752 – A761页

“Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils”, 《科学》，2009年6月9日， 324卷第5932号，1312-1314页；doi注册号: 10.1126/science.1171245

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问题和答案

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FREQUENTLY ASKED QUESTIONS	问：铜箔背面的石墨烯是否已被去除？答：铜箔背面石墨烯被部分去除，因此建议转移之前需要进行如RIE等额外处理，以完全消除背面石墨烯。问：如何存储铜箔CVD石墨烯薄膜样品？答：如果在短时间内不打算使用，我们建议将样品保存在真空或惰性气体中，以避免铜箔氧化。问：我对铜晶体的取向感兴趣，其主要取向是什么？答：用于生长石墨烯中的铜箔为多晶，为了确定铜的晶粒取向，我们对铜箔进行了X射线衍射分析，其主要取向为。更多常见问题