
轻松转移:聚合物基底单层石墨烯(1英寸×1英寸)
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轻松转移:聚合物基底单层石墨烯(1英寸×1英寸)
我们提供“轻松转移法”:一种将单层石墨烯转移到您所期望基底上的最容易的方法。 结合我们长期生长和转移高品质石墨烯薄膜方面的经验,让您通过使用“轻松转移法”转移单层石墨烯,在其它新颖基底上开展您的实验。
石墨烯薄膜
- ·生长方法:CVD
- ·外观(颜色):透明
- ·透明度:> 97%
- ·外观(形式):薄膜
- ·覆盖范围:> 95%
- ·石墨烯层数:1
- ·厚度(理论上):0.345纳米
- .氧化铝上的FET电子迁移率:2000 cm2/Vs
- ·二氧化硅/硅上的FET电子迁移率:4000 cm2/Vs
- ·二氧化硅/硅基底薄膜电阻:450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
- ·晶粒尺寸:最大10微米
为什么使用“轻松转移”
- ·避免金属蚀刻
- ·避免危险的化学品处理
- ·对薄膜进行操作
- ·去除底层
应用
石墨烯研究,柔性电池,电子,航空航天工业,MEMS和NEMS,微致动器,导电涂料
发表文章
“Ultrathin rechargeable all-solid-state batteries based on monolayer graphene”, J.Mater。 Chem. A,2013年,1期,3177-3181页 DOI注册号:10.1039 / C3TA01183F
“Fabrication and Electrochemical Characterization of Single and Multi-Layer Graphene Anodes for Lithium-Ion Batteries”, J. electrochem. Soc. 2012年, 159卷,6期,A752 – A761页
“Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils”, 《科学》,2009年6月9日, 324卷 第5932号,1312-1314页;doi注册号: 10.1126/science.1171245
FREQUENTLY ASKED QUESTIONS |
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