轻松转移:聚合物膜基底单层石墨烯(1厘米×1厘米)

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轻松转移:聚合物膜基底单层石墨烯(1厘米×1厘米)

我们提供“轻松转移法”:一种将单层石墨烯转移到您所期望基底上的最容易的方法。 结合我们长期生长和转移高品质石墨烯薄膜方面的经验,让您通过使用“轻松转移法”转移单层石墨烯,在其它新颖基底上开展您的实验。

石墨烯薄膜

  • ·生长方法:CVD
  • ·外观(颜色):透明
  • ·透明度:> 97%
  • ·外观(形式):薄膜
  • ·覆盖范围:> 95%
  • ·石墨烯层数:1
  • ·厚度(理论上):0.345纳米
  • .氧化铝上的FET电子迁移率:2000 cm2/Vs
  • ·二氧化硅/硅上的FET电子迁移率:4000 cm2/Vs
  • ·二氧化硅/硅基底薄膜电阻:450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
  • ·晶粒尺寸:最大10微米

为什么使用“轻松转移法”

  • ·避免金属蚀刻
  • ·避免危险的化学品处理
  • ·对薄膜进行操作
  • ·去除底层

应用

石墨烯研究,柔性电池,电子,航空航天工业,MEMS和NEMS,微致动器,导电涂料

发表文章

“Ultrathin rechargeable all-solid-state batteries based on monolayer graphene”, J.Mater。 Chem. A,2013年,1期,3177-3181页 DOI注册号:10.1039 / C3TA01183F

“Fabrication and Electrochemical Characterization of Single and Multi-Layer Graphene Anodes for Lithium-Ion Batteries”, J. electrochem. Soc. 2012年, 159卷,6期,A752 – A761页

“Large-Area Synthesis of High-Quality and Uniform Graphene Films on Copper Foils”, 《科学》,2009年6月9日, 324卷 第5932号,1312-1314页;doi注册号: 10.1126/science.1171245

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FREQUENTLY ASKED QUESTIONS
  • 问:铜箔背面的石墨烯是否已被去除?

    答:铜箔背面石墨烯被部分去除,因此建议转移之前需要进行如RIE等额外处理,以完全消除背面石墨烯。

  • 问:如何存储铜箔CVD石墨烯薄膜样品?

    答:如果在短时间内不打算使用,我们建议将样品保存在真空或惰性气体中,以避免铜箔氧化。

  • 问:我对铜晶体的取向感兴趣,其主要取向是什么?

    答:用于生长石墨烯中的铜箔为多晶,为了确定铜的晶粒取向,我们对铜箔进行了X射线衍射分析,其主要取向为。

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