二氧化硅/硅基底单层石墨烯(10 mm x 10 mm) - 4片装

¥ 1,020.26

二氧化/硅基底单层石墨烯10 mm x 10 mm- 4片装

CVD在铜箔上生长单层石墨烯,通过湿法处理转移转移至二氧化硅/硅基底。

该产品是研发部门和大学的理想选择。

石墨烯薄膜

  • ·透明度:> 97%
  • ·覆盖范围:> 95%
  • ·厚度(理论上):0.345纳米
  • .氧化铝上的FET电子迁移率:2000 cm2/Vs
  • ·二氧化硅/硅基底霍尔电子迁移率:4000 cm2/Vs
  • ·薄膜电阻:450±40 Ohms/sq (1cm x1cm)
  • ·晶粒尺寸:最大10微米

二氧化硅 /硅基底

  • ·干燥氧化物厚度:300nm(+/- 5%)
  • ·类型/掺杂剂:磷/硼
  • ·取向:
  • ·电阻率:<0.005ohm·cm
  • ·厚度:525 +/- 20微米
  • ·前面:单面抛光
  • ·背面:蚀刻
  • ·颗粒:<10@0.3微米

质量控制

我们的还原氧化石墨烯接受严格的质量控制,以确保高质量和可重复性。

  • ·拉曼光谱:I(G)/I(2D)
  • ·每个样品单独经过光学显微镜检查,以确保良好的转移质量和纯度

如果您的应用需要其它质量控制,请与我们联系。.

应用

石墨烯研究,石墨烯晶体管和电子应用,石墨烯光电子学,等离子体激元和纳米光子学。 石墨烯光电探测器(测量光子通量或光功率),生物传感器和生物电子学,航空航天工业(电子学,热界面材料等),MEMS和NEMS

发表文章

“Recent advances in graphene-based biosensors”,2011年; doi注册号:10.1016 / j.bios.2011.05.039。

“Optical nano-imaging of gate-tunable graphene plasmons”, 《自然》 487,77-81(2012年7月5日), 487卷,77页, doi注册号: 10.1038/nature11254

"Graphene Frequency Multipliers", 《电子设备通讯》, IEEE, 30卷,5期; doi注册号: 10.1109/LED.2009.2016443

资料下载

  • 石墨烯薄膜数据表
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  • 材料安全性数据表-石墨烯薄膜
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FREQUENTLY ASKED QUESTIONS
  • 问:如果石墨烯已经转移到基底晶圆,如何将样品切割成多个小样品?)

    答:必须利用干法来完成。 两种选择:1)使用金刚石笔进行切割,但由于硅晶圆的分离,样品边缘会有少量石墨烯碎片;
    2)为避免有碎片,可以在切割前在石墨烯上涂上一层保护层,例如PMMA。利用金刚石笔切割后再用溶剂去除PMMA层。我们可以为您提供已带有PMMA层的样品。

  • 问:当收到石墨烯样品时是否需要额外清洗?

    氛下350-400℃范围内退火30分钟,退火的具体温度和时间也决于所使用的退火炉。

  • 问:石墨烯膜的电子迁移率的测量值是多少?

    答:电子迁移率数值在很大程度上取决于测定它们的方法。我们的石墨烯样品的霍尔迁移率的值约为2000-2700cm^2/Vs,并具有良好的一致性。

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